http://www.all4mob.netДобавить в избранное
Навигация

Случайная SMS-ка
Внимание!!!
Ваш телефон самоуничтожится через 30 секунд!
Быстро бросьте его в урну, унитаз или в того, кого ненавидите больше жизни!!!
 
Голосования
Какой марки ваш мобильный телефон?

Случайная картинка
Лента новостей
 
Главная
Дождитесь загрузки…

Sandisk начинает серийное производство 43-нм NAND флэш-памяти

12.02.2008 г.

Корпорация SanDisk совместно с японской компанией Toshiba сегодня сообщили о запуске производства NAND памяти на базе технологии многоуровневых ячеек (Multi-Level, MLC) по 43-нанометровому техпроцессу. Новый технологический процесс обеспечивает вдвое большую плотность чипа по сравнению с 56-нм 16-гигабитным техпроцессом. Такой подход позволяет снизить стоимость кристалла, но при этом сохранить высокую производительность и надежность памяти. Корпорация SanDisk намерена начать поставки одночиповой MLC NAND флэш-памяти с самой высокой на сегодняшний день плотностью хранения информации в течение второго квартала 2008 года. Сначала компания планирует производить 16-гигабитные чипы, а во второй половине 2008 года – и 32-гигабитные чипы.

Компании SanDisk и Toshiba поделились своими технологическими достижениями и представили спецификации своей 43 нм 16-гигабитной NAND флэш-памяти на международной конференции по твердотельной памяти 2008 International Solid State Circuits Conference (ISSCC).

Стремясь укрепить лидирующие позиции в области конструирования и разработки передовых технологий производства NAND флэш-памяти, компания SanDisk начала перевод своего производства на фабрике Toshiba Yokkaichi Operations, рядом с Нагойей (Япония), на 43-нм техпроцесс. Компании SanDisk и Toshiba поровну делят полученную на фабрике продукцию; совместными усилиями они разработали множество новых технологий и решений в области MLC NAND. Изначально 43-нм флэш-память будет производиться на фабрике Fab 4, недавно запущенном совместном предприятии SanDisk и Toshiba по производству 300-мм кремниевых пластин. Во второй половине 2008 года ожидается переход на 43-нм техпроцесс и фабрики Fab 3.

Ожидается, что появление 43-нм NAND флэш-памяти, а также системные инновации и собственные технологии контроллеров памяти SanDisk будут способствовать развитию рынков твердотельных накопителей и управляемой NAND памяти, такой как iNAND, позволят увеличить емкость флэш-накопителей для быстро растущего рынка мобильных устройств, и помогут укрепить лидирующее положение компании в сегменте высокопроизводительных решений.

Климов Олег
www.mobile-review.com

 
След. »
TeaserNet
 
Поиск
Каталог телефонов
Хостинг предоставлен компанией TerraHost.ru
По всем вопросам обращайтесь через Форму обратной связи
Использование материалов разрешается только при указании прямой гиперссылки на All4Mob.net
Rambler's Top100